光子学报
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光子学报  2018, Vol. 47 Issue (3): 0314003    DOI: 10.3788/gzxb20184703.0314003
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基于SiO2薄膜的915 nm半导体激光器的无杂质空位诱导量子阱混合研究
王鑫1,2, 赵懿昊1, 朱凌妮1, 侯继达1,2, 马骁宇1, 刘素平1
1. 中国科学院半导体研究所 光电子器件国家工程研究中心, 北京 100083;
2. 中国科学院大学, 北京 100049
Impurity-free Vacancy Diffusion Induces Quantum Well Intermixing in 915 nm Semiconductor Laser Based on SiO2 Film
WANG Xin1,2, ZHAO Yi-hao1, ZHU Ling-ni1, HOU Ji-da1,2, MA Xiao-yu1, LIU Su-ping1
1. The National Engineering Research Center forOptoelectronic Devices, Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing 100083, China;
2. University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China

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