光子学报
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光子学报  2018, Vol. 47 Issue (3): 0304002    DOI: 10.3788/gzxb20184703.0304002
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In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管响应及电学特性
袁正兵1,2, 肖清泉1, 杨文献2, 肖梦2, 吴渊渊2, 谭明2, 代盼2, 李雪飞2, 谢泉1, 陆书龙2
1. 贵州大学 大数据与信息工程学院, 贵阳 550025;
2. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件与应用重点实验室, 江苏 苏州 215123
Response and Electrical Characteristics of In0.53Ga0.47As/InP Avalanche Photodiode
YUAN Zheng-bing1,2, XIAO Qing-quan1, YANG Wen-xian2, XIAO Meng2, WU Yuan-yuan2, TAN Ming2, DAI Pan2, LI Xue-fei2, XIE Quan1, LU Shu-long2
1. College of Big Data and Information Engineering, Guizhou University, Guiyang 550025, China;
2. Key Laboratory of Nano-devices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou, Jiangsu 215123, China

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