光子学报
首 页 期刊介绍 编委会 投稿指南 期刊订阅 留言板 联系我们 English  
 
 
光子学报  2018, Vol. 47 Issue (5): 0523001    DOI: 10.3788/gzxb20184705.0523001
光学器件 最新目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索 |
用刻蚀坑方法抑制平面型InGaAs/InP盖革模式APD的边缘击穿
侯丽丽1, 韩勤1,2, 李彬3, 王帅1, 叶焓1
1. 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083;
2. 中国科学院大学 电子电气与通信工程学院, 北京 100049;
3. 中国电子科技集团公司第四十四研究所 化合物半导体光电子事业部, 重庆 400060
Using Etch Well to Suppress Edge Breakdown of Planar-type InGaAs/InP Geiger Mode Avalanche Photodiodes
HOU Li-li1, HAN Qin1,2, LI Bin3, WANG Shuai1, YE Han1
1. Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Science, Beijing 100083, China;
2. School of Electronic, Electrical and Communication Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China;
3. Compound Seniconductor Optp-Electronics Department, China Electronics Technology Group Corp. No. 44 Research Institute, Chongqing 400060, China

版权所有 © 2013 中国科学院西安光学精密机械研究所 保留一切权利