光子学报  2017, Vol. 46 Issue (9): 0916001  DOI: 10.3788/gzxb20174609.0916001
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引用本文  

程成, 黄媛, 姚建华. CdSxSe1-x/ZnS(核/壳)量子点的光谱截面及其掺杂光纤的传光特性[J]. 光子学报, 2017, 46(9): 0916001. DOI: 10.3788/gzxb20174609.0916001.
CHENG Cheng, HUANG Yuan, YAO Jian-hua. Spectra Cross-sections of CdSxSe1-x/ZnS(core/shell) Quantum Dots and Photoluminescent Transmission of the Doped Fiber[J]. Acta Photonica Sinica, 2017, 46(9): 0916001. DOI: 10.3788/gzxb20174609.0916001.

基金项目

国家自然科学基金(Nos.61274124,61474100)资助

第一作者

程成(1953-), 男, 教授, 博士, 博士生导师, 主要研究方向为量子点光纤放大器以及激光器等.Email: chengch@zjut.edu.cn

通讯作者

黄媛(1993-), 女, 硕士研究生, 主要研究方向为纳米晶体量子点.Email: 963041325@qq.com

文章历史

收稿日期:2017-05-03
录用日期:2017-05-27
CdSxSe1-x/ZnS(核/壳)量子点的光谱截面及其掺杂光纤的传光特性
程成1,2, 黄媛1, 姚建华2    
(1 浙江工业大学 光电子智能化技术研究所, 杭州 310023)
(2 浙江省高端激光制造装备协同创新中心, 杭州 310014)
摘要:测量了不同组份比例x的CdSxSe1-x/ZnS(核/壳)量子点的吸收谱和发射谱,确定了量子点的吸收系数、吸收截面和发射截面.量子点吸收截面随粒径的增大而增大、随x的增大而减小.采用紫外固化胶,制备了掺杂浓度为0.1~5 mg/mL的CdS0.4Se0.6/ZnS量子点光纤,测量了不同掺杂浓度量子点光纤中473 nm泵浦功率的吸收衰减速率.吸收衰减速率和吸收截面弱关联于掺杂浓度.测量了光致荧光光谱强度随光纤长度和量子点浓度的变化.量子点光纤的光致荧光峰值强度随掺杂浓度和光纤长度变化而变化,且存在一个与最大峰值强度对应的饱和掺杂浓度和光纤长度.本文的实验结果有助于进一步构建新型的CdSxSe1-x/ZnS量子点增益型光电子器件.
关键词CdSxSe1-x/ZnS量子点    吸收截面    光致荧光光谱    量子点掺杂光纤    量子点光纤传光特性    
中图分类号:O433.4      文献标识码:A      文章编号:1004-4213(2017)09-0916001-8
Spectra Cross-sections of CdSxSe1-x/ZnS(core/shell) Quantum Dots and Photoluminescent Transmission of the Doped Fiber
CHENG Cheng1,2, HUANG Yuan1, YAO Jian-hua2    
(1 Institute of Intelligent Optoelectronic Technology, Zhejiang University of Technology, Hangzhou 310023, China)
(2 Zhejiang Provincial Collaborative Innovation Center of High-end Laser Manufacturing Equipment, Hangzhou, 310014, China)
Foundation item: The National Natural Science Foundation of China (Nos.61274124, 61474100)
Abstract: The absorption coefficient, absorption and emission cross-sections of CdSxSe1-x/ZnS (core/shell) Quantum Dots (QDs) were determined by measuring absorption-emission spectra of the QDs with different composition ratio x. The absorption cross-section of QDs shows an increase with the increase of QD size, and shows a decrease with the x increase. In addition, CdS0.4Se0.6/ZnS QDs doped fibers are prepared in a solid fiber core of ultraviolet gel in the doping concentration of 0.1~5 mg/mL. The absorption decay rate of 473 nm laser pumped into the QDs doped fiber are measured for different doping concentrations. There is evidence to show that the absorption-decay rate and the cross-section are weakly associated with the doping concentration, and the photoluminescence-peak intensity of the doped fiber varies with the fiber length and the doping concentration. There is a saturating doping concentration and desired fiber length corresponding to the maximum photoluminescent intensity. The experimental results provide a support for development of CdSxSe1-x/ZnS-QDs doped photoelectronic devices in the future.
Key words: CdSxSe1-x/ZnS quantum dots    Absorption cross-section    Photoluminescence spectrum    Quantum dot doped fiber    Transmission of the doped fiber    
OCIS Codes: 160.4236;300.6500;250.5230;160.2290
0 引言

与稀土离子相比,半导体量子点由于其量子点尺寸效应以及吸收峰蓝移,具有发射谱波长可调、量子产率高、发光强度强等优点,近年来受到了人们的极大关注[1, 2].量子点的粒径大小对制备过程中的技术方法(如反胶团合成[3]、超声电化学法[4])和条件相当敏感,因而即使采用相同的方法,不同批次也会产生略有不同中心粒径的量子点,发光效率也有偏差,因而给量子点光电子器件(例如激光器)的实际研制带来了困难.随着人们对量子点稳定性及准确波长要求的提高,近年来,三元量子点引起了人们的关注.Salim等[5]研究了不同配位溶剂中生长的CdSxSe1-x纳米晶体光学和结构的性质,测量了不同配位溶剂下摩尔质量比Cd:Se:S为1:0.12:3的CdSxSe1-x量子点的吸收峰值位置,测量了不同Se、S比例时所对应的光致荧光(Photoluminescence, PL)峰值波长.Pan等[6]通过控制反应的温度得到了不同组份比例的CdSxSe1-x纳米带,并测量了其PL辐射光谱,得到了不同比例x对应的PL辐射波长.Adegoke等[7]报道了CdSxSe1-x核量子点的量子产率达到69%,其PL谱展示出了很好的稳定性.三元量子点可通过调控其组份比例来改变其带隙能,从而改变量子点吸收和荧光波长,并具有发光效率稳定的特点,为人们准确调控量子点波长和稳定发光效率增加了一种手段,这给量子点器件应用带来了巨大的前景.

对于光电子器件,增益介质的吸收和发射截面是重要的物理量,由光谱吸收和发射截面,可确定产生光学增益的阈值和激励阈值等关键参量.对于CdSxSe1-x/ZnS(核/壳)量子点的光谱截面,目前有少量的研究报道.例如,Wu等[8]测量了吸收峰值波长532 nm处的CdSxSe1-x/ZnS(x=0.79) 量子点的吸收和PL光谱,得到了量子点的吸收截面为1.26×10-16cm2.然而,由于不同组份和不同粒径都会影响量子点的吸收截面和发射截面,而目前尚没有不同组份和不同粒径对CdSxSe1-x/ZnS量子点的吸收和辐射截面的研究报道,因而给其应用带来了困难.此外,关于CdSxSe1-x/ZnS量子点掺杂光纤(Quantum Dot Fiber, QDF)的光传输特性的研究,国内外也没有相关报道.

本文测量了不同组份比例x的CdSxSe1-x/ZnS量子点吸收谱和PL辐射谱,确定了量子点的吸收系数、吸收截面和发射截面随波长的变化规律,得到了量子点吸收截面和发射截面随量子点粒径与组份比例x之间的关系.将CdSxSe1-x/ZnS(x=0.4) 量子点离散在紫外(Ultraviolet, UV)固化胶中,灌入空芯光纤,制成了以UV胶为本底的QDF.测量了QDF对473 nm泵浦功率的吸收速率和PL辐射谱随光纤长度和量子点浓度的变化,并对其原因进行了分析.本文工作是CdSxSe1-x/ZnS量子点光谱特性的基础性工作,对今后进一步将其制备成增益型器件具有积极意义.

1 实验材料与方法 1.1 实验材料与制备

CdSxSe1-x/ZnS(核/壳)量子点由杭州纳晶科技股份有限公司提供,量子点分散在甲苯中,原始质量浓度为5 mg/mL.为了方便,在不特别涉及比例系数x的情况下,我们以x=0.4为例进行讨论,并略去下角标x.由高分辨透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope, TEM)(Tecnai G2 F30 S-Twin型,荷兰Philips-FEI公司),测量得到量子点核壳总直径约为12.5 nm(图 1).其中图 1(a)显示量子点内部有超精细的晶格结构,由图 1(b)可见样品中量子点的粒径大小基本一致,分布均匀.

图 1 离散在甲苯中的CdSSe/ZnS量子点的TEM图 Fig.1 TEM images of CdSSe/ZnS QDs dispersed in toluene

实验采用的UV胶为NOA-61型(美国Norland公司),其固化收缩率极低,折射率略高于光纤包层,在可见光波段吸收率很低[9],适合作为光纤本底材料.

实验室量子点UV胶溶液的配制分为三步:先用微型移液器(法国Gilson)取出不同体积的CdSSe/ZnS量子点原溶液,与一定量的UV胶同时置于旋转蒸发仪(RE-52A型,巩义市予华仪器有限公司)中.在高纯氩惰性气体保护环境中,根据沸点差异,对其进行隔氧(持续通入氩气)蒸发.在甲苯蒸发掉的同时,使量子点溶于UV胶中.然后,在超声振荡器中(KQ-50E型,昆山市超声仪器有限公司)振荡,使其混合均匀后移至洁净的棕色试剂瓶中,配制成不同浓度的量子点UV胶体.为了找到量子点PL峰值强度与光纤长度和掺杂浓度的关系,需使量子点达到受激辐射的密度阈值及以上,实验制备的掺杂质量浓度为0.1~5 mg/mL,分别选取0.1、0.3、0.4、0.5、0.6、0.8、1.0、3.0、5.0 mg/mL等浓度进行处理.

实验采用的QDF为自行设计制备.采用压力差方式,空芯光纤(132/170 μm,纤芯/包层)一端连接真空泵,另一端连接装有量子点胶体的压力装置,整个装置处于密封状态,将量子点胶体缓慢匀速地灌入空芯光纤.然后,用紫外灯对光纤照射处理5~10 min,使UV胶固化,制备成长度为20 cm、掺杂浓度不同的固态纤芯QDF.

1.2 测量

第一步先进行量子点吸收光谱和PL光谱测量.吸收光谱的测量采用紫外可见近红外分光光度计(UV-3600型,日本岛津公司,可测范围为200~2600 nm,扫描精度为1 nm).实验过程是:先在参比池和样品池中放入装有UV胶本底的石英比色皿,选择在300~800 nm范围内扫描基线,以便去掉本底UV胶的影响.再在参比池和样品池中分别放入本底材料和CdSSe/ZnS量子点UV胶溶液进行测量,得到量子点的吸收谱.量子点PL光谱测量采用稳态/瞬态荧光光谱仪(FLS920型、FLS980,英国爱丁堡公司).测量在室温下进行.

第二步进行QDF的吸收以及PL光谱的测量,实验安排如图 2.激励光源为波长473 nm、输出功率100 mW的半导体激光器(MBL-Ⅲ-100型,长春新产业光电技术有限公司),通过20倍聚焦物镜将激光束聚焦到裸光纤(50/125 μm,纤芯/包层)中.对光纤端面进行抛光等处理后,在入射端A处用光纤对插的方式连接,将激励光导入到QDF中.其中插入损耗约为-5 dB.B点为光纤出射端,通过透镜(f=18) 聚焦到光纤光谱仪(TS100A型,分辨率为0.4 nm, 北京中西远大科技有限公司)或者光功率计(1830-c型,Newport公司),测量QDF的PL光谱和泵浦光功率变化情况.QDF在A端用热熔胶密封,B端做成活动,可由外向内压缩缩短,以便在其它条件不变的情况下获得不同的光纤长度.通过测量不同掺杂浓度QDF的PL峰值光强, 以便确定PL峰值光强与掺杂浓度之间的关系,找到适用的掺杂浓度.

图 2 QDF测量实验示意图 Fig.2 Schematic diagram of QDF measurement
2 实验结果与讨论 2.1 量子点吸收谱和辐射谱

图 3为实测的CdSSe/ZnS量子点(浓度c=0.5 mg/mL)的吸收谱和PL谱.由图 3可见,量子点存在两个吸收带,第一吸收峰波长λa1=623 nm,第二吸收峰波长λa2=595 nm.PL发射谱呈单峰,表明荧光辐射从单一上能带跃迁到基态.PL峰波长λe=635 nm,发射峰与第一吸收峰波长之间的斯托克斯频移为12 nm,荧光谱的半高全宽为23 nm.

图 3 测量的CdSSe/ZnS量子点的吸收谱和发射谱 Fig.3 Measured absorption and PL-emission spectra of CdSSe/ZnS QDs dispersed in UV

图 3可知,CdSSe/ZnS量子点的能级结构为四能级系统,能级和结构示意图示见图 4图 4(b)σaσe分别是吸收截面和发射截面,A42A32A21分别为能级4→2、3→2、2→1的跃迁几率.在泵浦光的激励作用下,量子点吸收泵浦光能量后,电子从价带顶部附近(基态)被激励到导带中较高的能级3、4,对应于1Ph-1Se1Sh-1Pe1Ph-1Pe吸收跃迁.能级3、4的带内弛豫极快(~6 ps[10]),电子通过带内无辐射跃迁快速布居到能级2,从能级2跃迁返回价带同时辐射出荧光光子(中心波长635 nm).由于导带能级3和4的弛豫速率极快,处于能级3和4上的粒子几乎为零,因此,CdSSe/ZnS量子点的四能级系统实际上可用二能级近似来描述.

图 4 CdSSe/ZnS量子点的能级和结构示意图 Fig.4 Level and structure diagram of the CdSSe/ZnS QD

由实测量子点的吸收和发射谱,得到量子点的吸收系数、吸收截面和发射截面.测量的光强变化满足Lambert-Beer定律

$I = {I_0}{\rm{exp}}\left( { - \alpha L} \right)$ (1)

式中I0是入射光强,α为量子点的吸收系数,L为光穿过样品的光程.实验中,光程L=5 mm,第一吸收峰值波长(λa1= 623 nm)处的I/I0=0.91,由式(1) 可得α=0.45 cm-1.由吸收截面σa=α/nq(nq为量子点数密度),可得λa1处的吸收截面为σa=2×10-16 cm2.

对于发射截面,由于量子点导带内的弛豫速率极快,导带内的粒子数密度分布很快达到平衡,因此,辐射和吸收之间满足Mc Cumber关系[11],即

${\sigma _{\rm{e}}}\left( \nu \right) \approx {\sigma _{\rm{a}}}(\nu ){\rm{exp}}\left( {\frac{{{E_{21}} - h\nu }}{{kT}}} \right)$ (2)

式中E21为跃迁平均跃迁能,当0=E21时,σa=σe,该跃迁能可通过第一吸收峰强度和辐射峰强度的归一化,由两者截面的交点来确定.由图 3可知E21=1.97 eV.由测量的λa1处的吸收截面σa,可得对应波长处的发射截面σe=8.4×10-17 cm2.于是,根据图 3实测的整个谱带的吸收谱和发射谱,即可确定谱带内量子点的吸收截面和发射截面的大小.截面大小的定标示于图 3的纵坐标刻度.

2.2 吸收系数和吸收截面随组份比例x的变化

图 5为测量得到的不同组份比例的CdSxSe1-x/ZnS量子点的吸收谱.由图 5可见,第一吸收峰值波长λa1=500、560、600、623 nm.根据Perna[12]关于吸收峰值波长和x的关系,可以得到其对应的组份比例x=0.9、0.8、0.55、0.4.

图 5 不同组份比例x的CdSxSe1-x/ZnS的吸收谱 Fig.5 Absorption spectra of CdSxSe1-x/ZnS with the various component ratio x

图 5可进一步确定不同x所对应的吸收截面,结果见图 6.由图 6可见,CdSxSe1-x/ZnS量子点的吸收截面随x增大呈指数减小.图中圆点是Wu[8]测量的x=0.79时的吸收截面,截面值与本文的结果相当接近.

图 6 测量的CdSxSe1-x/ZnS量子点的吸收截面和半径a随组份比例x的变化 Fig.6 Measured absorption cross-section and radius of CdSxSe1-x/ZnS QDs varying with x

根据测量的吸收峰波长确定量子点的粒径.由有效质量近似修正的Brus方程[13]

${E_{{\rm{1S1s}}}} = {E_{\rm{g}}} + \frac{{{\pi ^2}{\hbar ^2}}}{{2\mu {a^2}}} - \frac{{1.786{e^2}}}{{\varepsilon a}} - 0.248\frac{{{e^4}\mu }}{{2{\varepsilon ^2}{\hbar ^2}}}$ (3)

式中,E1S1s是量子点基态带隙,Eg是体材料带隙(=1.82 eVe[12]),a是量子点半径,μ是电子-空穴的折合质量($\frac{1}{\mu } = \frac{1}{{{\rm{m}}_e^*}} + \frac{1}{{{\rm{m}}_h^*}}$me*为电子有效质量,mh*为空穴有效质量),ε是量子点介电系数(=9.3[14]),e是电子电荷,me*=0.13m0[14]mIh*=0.46m0[14](m0为自由电子质量).根据图 5测量的第一吸收峰波长,可得量子点核CdSxSe1-x(x=0.4、0.55、0.8、0.9) 的半径分别为4.5、3.8、2.8、2.29 nm(示于图 6).由于外包覆层ZnS的吸收带远离核CdSSe的辐射波长区,因此不会对所测光谱的吸收和辐射产生影响.随着组份比例x的增大,S所占的比例增大,由于S原子比Se原子小,因此CdSxSe1-x量子点的半径变小,这与实验测量计算所得的结果相符.由于量子尺寸效应,吸收截面随着量子点尺寸的减小而减小[2],这也是吸收截面随组份比例x增大而变小的原因.当x=1时,量子点核退化成CdS,量子点成为CdS/ZnS.按图 6数据外推,可知其吸收截面σa≈1.6×10-16 cm2,与Yang[15]测量的CdS量子点的的吸收截面结果基本吻合.

2.3 QDF对抽运光的吸收

图 7为测量的不同掺杂浓度的QDF对473 nm泵浦光的吸收速率.实验条件为量子点掺杂浓度0.1~5 mg/mL、光纤长度1~20 cm.由图 7可见,泵浦光功率随光纤长度的增加呈指数衰减,当光纤长度超过10 cm,泵浦光功率所剩无几.掺杂浓度越高,吸收速率越大,泵浦光衰减得越快.

图 7 泵浦功率随光纤长度的变化 Fig.7 Measured pumping power as a function of fiber length

QDF中光强的损耗主要来自吸收,沿光纤的传输衰减满足Lambert-Beer定律.由于光纤纤芯的基底UV胶的吸收很小,可以忽略[9],因而,可以认为光纤的吸收就是量子点的吸收.根据式(1) 和图 7,可得QDF对473 nm波长的吸收速率或吸收系数α、吸收截面σa以及每摩尔吸收系数ε=α/C(C是量子点的摩尔浓度),具体数据见表 1.

表 1 测量的473 nm波长处QDF的吸收系数和吸收截面 Tab.1 Measured absorption coefficient and absorption cross-section at 473 nm

表 1可知,量子点的吸收系数α和吸收截面σa和掺杂浓度c有关.由图 8可见,吸收系数随量子点掺杂浓度的增大线性增大.在本文实验掺杂浓度范围内,α=0.42~0.86 cm-1.此外,吸收截面σa随掺杂浓度呈负指数下降,σa=(3.15~9.22)×10-16 cm2.当掺杂浓度增加到0.5 mg/mL时,吸收趋于饱和,吸收截面趋于常数.图 8中▲为掺入光纤前的量子点对473 nm波长的吸收截面(来自于图 3),它与所测的QDF中的吸收截面数据吻合.作为比较,图 8给出了文献[9]测量的CdSe/ZnS量子点(相当于本文x=0) 的吸收截面随掺杂浓度的变化.本文量子点的吸收截面比文献[9]CdSe/ZnS量子点的吸收截面大,原因主要是本文量子点的粒径比文献[9]的粒径大~3 nm.由于吸收截面关联于量子点粒径,因此,本文与文献[9]的吸收截面在相同粒径的情况下是吻合的.两者的吸收截面随掺杂浓度的变化趋势一致.

图 8 测量的光纤中CdSSe/ZnS量子点吸收系数和吸收截面随掺杂浓度的变化 Fig.8 The measured absorption coefficient and cross-section of CdSSe/ZnS QDs doped in fibers varying with the doping concentration
2.4 PL峰值强度与QDF浓度及长度关系

为了发现PL峰值强度随掺杂光纤长度和掺杂浓度之间的关系,在保持入射光功率相同的情况下,对前述的8种浓度、光纤长度1~20 cm之间测量了其PL辐射谱,结果见图 9(每间隔1 cm调整光纤长度得到相对光强最大).

图 9 不同浓度下CdSSe/ZnS量子点光纤的PL出射光谱 Fig.9 PL spectra of CdSSe/ZnS QD doped fiber for different doping concentrations

图 9可知,PL峰值波长位于634.2~635.5 nm之间.当量子点掺杂浓度从0.1 mg/mL开始增加时,PL峰值强度呈现先增大后减小的现象.当掺杂浓度为0.4 mg/mL时,PL峰值最大,此时掺杂浓度达到饱和.

在473 nm波长的泵浦光激励下,PL峰值强度随量子点掺杂浓度的变化(图 10)呈现由低到高再到低的变化.不同掺杂浓度PL峰值强度最大值所对应的光纤长度不相同,浓度越大,达到最大PL峰值强度的光纤长度越短.例如,当掺杂浓度为0.4 mg/mL时,随着光纤长度的增加,PL峰值强度逐渐增大;当光纤长度达到11 cm时,PL峰值强度达到最大;之后,随着光纤长度的增加,PL峰值强度减小,出现饱和现象.这种饱和现象是由于光致荧光沿光纤传输过程中,其沿途的辐射增益与吸收损耗相互制约所造成的,具体原因这里不再详述,可参见文献[11, 16].

图 10 不同掺杂浓度CdSSe/ZnS量子点的PL峰值随光纤长度的变化 Fig.10 PL-peak intensity of the CdSSe/ZnS QD varying with the fiber length for different doping concentrations

PL峰值强度与量子点掺杂浓度有关.这表明当泵浦光强恒定时,存在一个可使PL峰值光强最大的掺杂浓度.原因分析如下:量子点受激发所产生的跃迁载流子数NI(λ)(激励光强),在激励光源不变的情况下,激励光所能激发的载流子数N恒定,这意味着量子点数密度与光纤体积的乘积是一个定值,即πr2LfnqC(r为光纤半径,Lf为光纤长度).根据图 7所测的结果,这里C≡8.9±1.4×1012(个).因而,激发相同数目的量子点所需的光纤长度随着掺杂浓度的提高而减小.但随着量子点浓度的持续提高,量子点之间的相互作用增强,产生高浓度掺杂情况下的能级上转换,从而使得原能级跃迁频率的PL光辐射减弱.另一方面,掺杂浓度越高,来自量子点大尺寸效应的散射损耗也将增大[11, 16],从而抑制了PL强度的进一步增大.

3 结论

测量了不同组份系数x的CdSxSe1-x/ZnS量子点的吸收谱和PL辐射谱,得到了量子点的吸收系数、吸收截面和发射截面随波长的变化.量子点的吸收谱呈双峰形,吸收峰值波长分别位于595、623 nm,表明量子点存在两个吸收带.在473~635 nm波长范围内,CdS0.4Se0.6/ZnS量子点吸收系数为0.8~0.35 cm-1,吸收截面为(3.55~1.53)×10-16 cm2.发射截面呈单峰,表明荧光辐射从单一上能带跃迁到基态.对于粒径为4.5,3.8,2.8,2.29 nm;x=0.4,0.55,0.8,0.9的量子点,第一吸收峰值波长分别为623,600,560,500 nm,峰值发射截面为(2,1.48,1.17,1.02)×10-16 cm2.CdSxSe1-x/ZnS量子点吸收截面和半径弱依赖于组份比例x.

制备了以UV胶为纤芯本底的CdS0.4Se0.6/ZnS-QDF,研究了QDF中473nm泵浦光的吸收速率系数以及PL辐射光的传输特性.结果表明:泵浦光功率沿光纤呈指数下降,特征光纤长度和掺杂浓度有关.QDF的吸收速率系数弱关联于掺杂浓度,当掺杂浓度为0.5 mg/mL时,吸收截面趋于饱和为3.15×10-16 cm2.QDF的PL峰值强度依赖于掺杂浓度和光纤长度.存在一个使PL光强饱和的掺杂浓度和光纤长度.当掺杂浓度为0.4 mg/mL,光纤长度为11 cm时,PL光强最大.这些实验结果有助于CdSxSe1-x/ZnS量子点增益型器件的研制.

参考文献
[1] CHEN Zhen-hua, LI Hui, ZHANG Xiang-zhi, et al. Surface states in ternary CdSSe quantum dot solar cells[J]. Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2017, 17: 1373-1380. DOI:10.1166/jnn.2017.12629
[2] JASIENIAK J, SMITH L, EMBDEN J V, et al. Re-examination of the size-dependent absorption properties of CdSe quantum dots[J]. Journal of Physical Chemistry C, 2017, 113(45): 45573-85.
[3] CHENG Xiao-yu, LOWE S B, REECE P J, et al. Colloidal silicon quantum dots:from preparation to the modification of self-assembled monolayers (SAMs) for bio-applications[J]. Chemical Society Reviews, 2014, 43(8): 2680-2700. DOI:10.1039/C3CS60353A
[4] YU J Y. A novel electrochemical preparation of PbS nanoparticles[J]. Materials Science & Engineering B, 2006, 131(1-3): 200-202.
[5] SALIM N, YOUNG A G, TILLEY R D, et al. Synthesis of CdSeS nanocrystals in coordinating and noncoordinating solvents:solvent's role in evolution of the optical and structural properties[J]. Chemistry of Materials, 2007, 21: 5185-5193.
[6] PAN A, YANG H, LIU R, et al. Color-tunable photoluminescence of alloyed CdSxSe1-x nanobelts[J]. Journal of the American Chemical Society, 2005, 127(45): 15692-3. DOI:10.1021/ja056116i
[7] ADEGOKE O, NYOKONG T, FORBES P, et al. Photophysical properties of a series of alloyed and non-alloyed water-soluble L-cysteine-capped core quantum dots[J]. Journal of Alloys & Compounds, 2016, S0925-8388(16): 33412-20.
[8] WU F, TIAN W, CHEN W J, et al. Optical nonlinearity and optical limiting of CdSeS/ZnS quantum dots[J]. Journal of Modern Optics, 2009, 56(17): 1868-1873. DOI:10.1080/09500340903377717
[9] CHENG Cheng, ZHAI Shi-tao. Determination of nonlinear dependence between absorption and dispersion of CdSe/ZnS quantum dots doped in ultraviolet glue[J]. Acta Optica Sinica, 2014, 34(6): 0612009.
程成, 翟诗滔. 紫外胶基底中CdSe/ZnS量子点的吸收与色散非线性关系的确定[J]. 光学学报, 2014, 34(6): 0612009.
[10] GUNDLACH L, PIOTROWIAK P. Ultrafast spatially-resolved carrier dynamics in single CdSSe nanobelts[J]. Journal of Physical Chemistry C, 2009, 113(28): 12162-12166. DOI:10.1021/jp9013509
[11] CHENG Cheng, CHENG Xiao-yu. Nanophotonics and applications[M]. Beijing: Science Press, 2017: 225-239.
程成, 程潇羽. 量子点纳米光子学及应用[M]. 北京: 科学出版社, 2017: 225-239.
[12] PERNA G, PAGLIARA S, CAPOZZI V, et al. Excitonic luminescence of CdSxSe1-x films deposited by laser ablation on Si substrate[J]. Solid State Communications, 2000, 114(3): 161-166. DOI:10.1016/S0038-1098(00)00016-8
[13] ALLEN G, DELERUE C. Confinement effects in PbSe quantum wells and nanocrystals[J]. Physical Review B, 2004, 70(24): 245321. DOI:10.1103/PhysRevB.70.245321
[14] DUJARDIN F, FEDDI E, ASSAID E, et al. Stark shift and dissociation process of an ionized donor bound exciton in spherical quantum dots[J]. European Physical Journal B, 2010, 74(4): 507-516. DOI:10.1140/epjb/e2010-00113-7
[15] YANG C C, MAI Y W. Size-dependent absorption properties of CdX (X=S, Se, Te) quantum dots[J]. Chemical Physics Letters, 2012, 535(535): 91-93.
[16] CHENG Cheng, ZENG Feng, CHENG Xiao-yu. Photoluminescence spectra of CdSe/ZnS quantum dot doped fiber with high doping concentrations[J]. Acta Optica Sinica, 2009, 29(10): 2698-2704.
程成, 曾凤, 程潇羽. 较高掺杂浓度下CdSe/ZnS量子点光纤光致荧光光谱[J]. 光学学报, 2009, 29(10): 2698-2704.