光子学报  2018, Vol. 47 Issue (5): 0514002  DOI: 10.3788/gzxb20184705.0514002
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引用本文  

李建林, 雷广智, 白杨, 白冰, 孙延笑. 电光-MoSe2主被动双调Q946nm全固态激光器[J]. 光子学报, 2018, 47(5): 0514002. DOI: 10.3788/gzxb20184705.0514002.
LI Jian-lin, LEI Guang-zhi, BAI Yang, BAI Bing, SUN Yan-xiao. Active-passive Double Q-switched 946 nm Laser with MgO: LiNbO3 Electro-optic Crystal and MoSe2 Saturable Absorber[J]. Acta Photonica Sinica, 2018, 47(5): 0514002. DOI: 10.3788/gzxb20184705.0514002.

基金项目

国家自然科学基金(No.61205114)和陕西省科技统筹创新工程计划项目(No.2011KTCL01-06)资助

第一作者

李建林(1992-), 男, 硕士研究生, 主要研究方向为全固态激光器技术.Email:bys627@163.com

通讯作者

白杨(1977-), 男, 副教授, 博士, 主要研究方向为大功率全固态激光器及非线性频率变化.Email:by@nwu.edu.cn

文章历史

收稿日期:2017-12-18
录用日期:2018-01-30
电光-MoSe2主被动双调Q946nm全固态激光器
李建林1, 雷广智2, 白杨1, 白冰1, 孙延笑1    
(1 西北大学 光子学与光子技术研究所, 光电技术与功能材料省部共建国家重点实验室培育基地, 陕西省全固态激光及应用工程技术研究中心, 西安 710069)
(2 中国科学院西安光学精密机械研究所 空间光学应用研究室, 西安 710119)
摘要:报道了一种基于电光-可饱和吸收主被动双调Q技术的窄脉冲宽度、高峰值功率946 nm全固态激光器.该激光器采用808 nm脉冲半导体激光侧面泵浦长尺寸Nd:YAG晶体棒抽运方式和双凹型折叠谐振腔结构,并将横向加压式的双45°角切割掺氧化镁铌酸锂晶体电光调Q与单层二硒化钼被动可饱和吸收调Q相结合,通过优化设计谐振腔结构,在脉冲重复频率550 Hz时,获得了最大单脉冲能量3.15 mJ、脉冲宽度9.1 ns、峰值功率高达346 kW的946 nm主被动双调Q脉冲激光的稳定输出,脉冲宽度和能量的峰峰值不稳定度分别达到±2.87%和±3.42%,光束质量因子分别为Mx2=3.851和My2=3.870.
关键词946 nm    主被动双调Q    MoSe2    MgO:LiNbO3电光晶体    窄脉冲宽度    高峰值功率    
中图分类号:TN248.1      文献标识码:A      文章编号:1004-4213(2018)05-0514002-8
Active-passive Double Q-switched 946 nm Laser with MgO: LiNbO3 Electro-optic Crystal and MoSe2 Saturable Absorber
LI Jian-lin1, LEI Guang-zhi2, BAI Yang1, BAI Bing1, SUN Yan-xiao1    
(1 Institute of Photonics and Photo-Technology, National Key Laboratory of Photoelectric Technology and Functional Materials(Cultivation Base), Shaanxi Engineering Technology Research Center for All Solid State Laser and Application, Northwest University, Xi'an 710069, China)
(2 Space Optical Technology Research Department, Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics, Chinese Academy of Sciences, Xi'an 710119, China)
Foundation item: The National Natural Science Foundation of China (No. 61205114) and the Science and Technology Coordinator Innovation Plan Project of the Shaanxi Province (No. 2011KTCL01-06)
Abstract: An active-passive double Q-switched 946 nm laser was reported which with a double 45° cut-magnesium oxide doped LiNbO3 electro-optic crystal and a monolayer molybdenum selenide saturable absorber. In order to obtain 946 nm laser pulses with high energy and high peak power, a pulsed laser diode side-pumped long Nd:YAG rod is used as the gain medium in a folded biconcave cavity. Output pulses with maximum pulse energy and peak power up to 3.15 mJ and 346 kW were obtained, corresponding to 550 Hz repetition rate and 9.1 ns pulse duration at 946 nm. Peak to peak instabilities of pulse width and pulse energy were ±2.87% and ±3.42%, beam quality factors were Mx2=3.851 and My2=3.870.
Key words: 946 nm    Active-passive double Q-switching    MoSe2    MgO: LiNbO3 crystal    Short pulse width    High peak power    
OCIS Codes: 140.3540;140.3580;160.4236;160.4330
0 引言

近年来,稳定输出的高能量、窄脉冲宽度、高峰值功率的946 nm脉冲激光在差分吸收雷达、空间通信、水蒸气探测、臭氧探测、二次谐波产生蓝光等领域均获得了广泛的应用[1-4].946 nm脉冲激光多采用尾纤传输的半导体激光(Laser Diode, LD)端面泵浦短尺寸的Nd:YAG晶体并结合声光、电光或被动调Q方式获得.例如:2009年,ZHANG C等[5]采用LD端面泵浦长度为5 mm的Nd:YAG陶瓷和声光调Q技术获得了脉冲重复率10 kHz、脉冲宽度58.3 ns、单脉冲能量0.121 mJ的946 nm激光输出;2015年,黄晶等[6]采用LD端面泵浦长度为11 mm的端帽键合Nd:YAG晶体和RTP晶体电光调Q技术获得了脉冲重复率1 kHz、脉冲宽度17 ns、单脉冲能量0.33 mJ的946 nm激光输出;2017年,LIN H F等[7]采用LD端面泵浦长度为5 mm的Nd:YAG晶体和二硫化钼(Molybdenum Sulfide, MoS2)薄膜被动调Q技术获得了脉冲重复率609 kHz、脉冲宽度280 ns、单脉冲能量0.35 μJ的946nm激光输出.目前,采用主动电光、声光调Q与被动可饱和吸收(Saturable Absorption, SA)调Q相结合的双调Q模式已被广泛应用于进一步压缩脉冲的脉冲宽度,提高峰值功率和脉冲波形的对称性[8-10].然而,采用主被动双调Q模式获得高能量、窄脉冲宽度、高峰值功率的946 nm脉冲激光的研究却很少见报道.2017年,本课题组采用双布儒斯特角切割掺氧化镁铌酸锂晶体(Magnesium Oxide doped LiNbO3, MgO:LiNbO3)主动电光调Q与过渡金属硫化物单层二硒化钨(Tungsten Selenide, WSe2)被动可饱和吸收调Q相结合,实现了脉冲重复频率500 Hz、脉冲宽度10.8 ns、单脉冲能量2.63 mJ的主被动双调Q运转946nm脉冲激光输出,对应峰值功率达到244 kW[11].研究表明,采用过渡金属硫化物与电光调Q相结合的主被动双调Q来压缩946nm激光脉冲宽度并提高其峰值功率是可行的.近年来,与WSe2具有相似分子结构的二硒化钼(Molybdenum Selenide, MoSe2)同样具有较小带隙且带隙可调的光电特性(减少层数或引入缺陷).特别是从400 nm到2 100 nm的宽带非线性光学可饱和吸收特性[12-13],使其被广泛应用于波长大于1 μm的被动调Q或被动锁模激光实验研究[14-16],但是将其应用于波长小于1 μm的946 nm激光实验研究却未见报道.此外,与双布儒斯特角切割的MgO:LiNbO3电光晶体相比,具有更小插入损耗和更高消光比的双45°角切割的MgO:LiNbO3电光晶体更有利于进一步压缩脉冲宽度,提高单脉冲能量.

本文采用808 nm脉冲LD侧面泵浦长尺寸的Nd:YAG晶体棒和双45°角切割的MgO:LiNbO3晶体加压式电光调Q技术,通过优化设计折叠谐振腔结构并引入单层MoSe2可饱和吸收体,实现了幅值稳定、窄脉冲宽度、高峰值功率的946 nm主被动双调Q脉冲激光输出.研究表明,双45°角切割MgO:LiNbO3+单层MoSe2主被动双调Q技术不但能够进一步压缩946 nm脉冲激光的脉冲宽度和谱线宽度、提高峰值功率,而且对改善脉冲波形的对称性和光束质量具有帮助.

1 MoSe2薄膜可饱和吸收体的制备和表征

实验采用化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)制备MoSe2薄膜.如图 1所示,将装有MoO3粉体(250 mg,99.6%)的器皿和SiO2衬底(厚25μm,尺寸2×2 cm2)放置在高温管式炉内的石英管中心,将装有Se粉体(500 mg,99.6%)的器皿放置在石英管的气体入口处,并通入流速为200 sccm的Ar气用于排出管内空气.一个小时后,高温管式炉内温度以30℃/min升至950℃,控制Ar气流量并注入H2气.混合气体的流速为50 sccm,Ar气和H2气的比例分别为94%和6%.H2气作为催化剂和还原剂用来加速MoO3 + 3Se + H2→MoSe2 +SeO2+ H2O的化学反应[17-18].在950℃高温下,MoSe2分子得以沉积在SiO2衬底上并生长出MoSe2薄膜.反应持续5 min后,关闭H2气并开始降温,Ar气流速降至20-30 sccm,直至室温.

图 1 CVD法制备MoSe2薄膜的生长过程示意图 Fig.1 Schematic of the CVD tube furnace for MoSe2 film growth on SiO2 substrates

图 2(a)为532 nm激光激励的MoSe2薄膜样品所获取的拉曼光谱图, 可以看到A1g (240.5 cm-1)和E2g1 (287.7 cm-1)两个特征峰,表明实验制备的薄膜材料为MoSe2[17, 19].图 2(b)为原子力显微镜(Atomic Force Microscope, AFM)拍摄获取的MoSe2薄膜样品微观形态.经剖面分析测试,薄膜厚度大约为0.77 nm,表明其结构为单层[19].图 2(c)为宽谱角分辨光谱仪探测获取的可见光至近红外波段MoSe2薄膜样品的线性吸收光谱.结果表明,厚度为0.77 nm的单层MoSe2薄膜对946 nm波长的透过率为98.83%.利用朗伯定律I= IoeαL可以计算出实验制备的单层MoSe2薄膜在946 nm波长处的线性吸收系数α=0.153×106 cm-1,其中I为透射光强,Io入射光强,L为薄膜厚度.此外,利用1 030 nm飞秒激光(340 fs,100 Hz)实验开展了对单层MoSe2薄膜样品的开孔Z扫描探测,其归一化非线性光学透过率变化曲线如图 2(d)所示.根据测量数据和归一化非线性光学透过率理论拟合公式[11, 21]

图 2 MoSe2薄膜样品的光学特征曲线 Fig.2 Optical characteristic curves of MoSe2 film sample
$ T = \left( {1-\frac{{{\alpha _0}L}}{{1 + I/{I_{\rm{s}}}}}-\beta IL-{\alpha _{{\rm{ns}}}}} \right)/(1 - {\alpha _0}L) $ (1)

式中αoL为调制深度, Is为饱和功率强度, L单层MoSe2薄膜厚度, αns为非可饱和吸收系数,可以理论计算出实验制备的单层MoSe2薄膜的非可饱和吸收系数αns=5.44%,调制深度αoL=0.98%.需要注意的是,理论上只有能量大于带隙的光子才有可能被光学材料吸收利用,而上述1 030 nm飞秒激光Z扫描探测却验证了理论带隙约为1.6 eV的单层MoSe2薄膜对光子能量仅为1.2 eV的1 030 nm激光具有可饱和吸收性,显然单层MoSe2薄膜的晶格缺陷引发带隙减小且小于光子能量可以为该现象提供一个合理的解释[21],故而验证了实验制备的单层MoSe2薄膜作为一种二维可饱和吸收材料可以用于波长小于1 030 nm (例如:946 nm)的激光被动调Q或被动锁模研究.

当然若将实验制备的单层MoSe2薄膜样品作为可饱和吸收镜来使用,还需要通过以下转移过程:首先将聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl Methacrylate, PMMA)有机溶剂作为支撑涂层旋涂在单层MoSe2薄膜上,并将样品置于100℃的真空干燥箱内烘干10 min.之后将样品快速浸泡到温度同为100 ℃、浓度为2 mol/L的NaOH溶液中,直到SiO2衬底被完全腐蚀干净.随后将贴附着PMMA的MoSe2薄膜直接转移至946 nm高反镜表面,并使用丙酮和异丙醇溶剂完全溶解掉PMMA.最后在经过弱气流的氮气吹拂、乙醇漂洗和2 h 45℃真空干燥流程后,单层MoSe2可饱和吸收镜则被制备出来.

2 激光实验装置及原理

基于主被动双调Q技术和脉冲LD侧面泵浦Nd:YAG晶体的946 nm脉冲激光器装置原理图如图 3所示.808 nm脉冲LD的脉冲重复频率为1kHz~1Hz可调,泵浦占空比25%,脉冲宽度为250μs.增益介质Nd:YAG晶体棒的尺寸为ϕ3 mm×65 mm,Nd3+掺杂浓度为0.5 at.%,两个通光端面均镀制946 nm、1 064 nm和1 319 nm的三色增透膜(反射率R < 0.2%@946 nm, R < 0.5%@1 064~1 319 nm).脉冲LD侧面泵浦长尺寸Nd:YAG晶体棒的方法有助于获得较高的受激辐射增益而提高946 nm激光的脉冲能量[22-23],脉冲LD较小的占空比则能够缓解在长尺寸的晶体棒内因946 nm严重的荧光光子再吸收和固有寄生振荡而导致的热效应[24].M1为平凹全反射镜,M2为平凹输出镜.M1、M2两镜的平面均其镀制1 064 nm和1 319 nm双色增透膜(R < 0.5%@1 064~1 319 nm),M1镜的凹面镀制946 nm高反膜(R>99.8%@946 nm)和1 064 nm、1 319 nm双色增透膜(R < 1%@1 064~1 319 nm);M2镜的凹面镀制三色增透膜(透射率T≈9%@946 nm, R < 1%@1 064~1 319 nm).实验采用两个对角均被切割为45°角的MgO:LiNbO3晶体作为电光调Q晶体.该晶体不但具有横向半波电压低、不易潮解、承受光强比普通LiNbO3晶体提高两个数量级[25]、价格低廉等优点,而且在光调制中起到了起偏器、电光调制器和检偏器的三重作用.无需像纵向加压电光调制需要在激光谐振腔内插入起偏器和1/4波片而增加插入损耗,更重要的是基于双45°横向电光调制双折射效应可以提高该晶体的消光比,缩短该晶体对振荡光的关断时间和激光脉冲的拖尾时间,从而有利于压缩脉冲宽度,提高单脉冲能量.晶体厚度为5 mm,45°切割角对应的两斜边长度分别为23 mm (a边)和9.89 mm (b边),MgO掺杂浓度为5.5 mol%,光抗损伤阈值250 MW/cm2;两个相互平行的通光面(5 mm×23 mm的矩形面)分别镀制946 nm增透膜(R<0.2%),两个反射面(5 mm×9.89 mm的矩形面)分别镀制946 nm高反膜(R>99.8%).当双45°切割MgO:LiNbO3晶体未加载半波电压时,入射的946 nm非偏振光因自然双折射效应将在晶体内分解为一束寻常偏振光(o光)和一束非常偏振光(e光).出射的o光和e光均与入射的非偏振光束平行.由于在出射光路的方向上并未垂直放置M2输出镜,因此无法形成946 nm激光振荡;当横向半波电压瞬间加载至双45°切割MgO:LiNbO3晶体时,由于横向电光效应,o光和e光经过90°偏振态旋转变化后,产生的e′光和o′光均不与入射的非偏振光束平行.若在o′光的出射光路上垂直放置M2输出镜,将在M1镜与M2镜之间实现o′偏振946 nm激光的振荡放大.若将单层MoSe2薄膜转移至M1镜的凹面,则M1镜可作为单层MoSe2可饱和吸收镜用于实现946 nm激光主被动双调Q运转.

图 3 脉冲LD侧面泵浦电光腔倒空激光器结构示意图 Fig.3 Schematic of pulsed LD side pumped electro-optic cavity-dumping laser

由于随着脉冲LD泵浦电功率的增加,增益介质的热效应加剧,热透镜焦距减小,这会严重影响谐振腔的输出稳定性,甚至造成腔失谐而无法产生激光振荡.因此,需要对谐振腔的结构进行优化设计,使其在一定的热焦距变化范围内具有动态热不灵敏性[23].在最大脉冲重复频率550 Hz时(超过550 Hz,热积累增加,946 nm输出功率大幅下降),LD泵浦单脉冲能量从90 mJ升至160 mJ时,利用热透镜焦距动态CCD测试法[26]测量得到热透镜焦距从150 mm下降至80 mm左右.在Nd:YAG晶体棒和双45°切割MgO:LiNbO3晶体尺寸已经确定的前提下,根据热焦距的变化,实验利用激光谐振腔设计软件(Laser Cavity Analysis and Design, LASCAD)对谐振腔的结构参数进行了优化设计,最终确定M1、M2镜的凹面曲率半径分别为3.0 m和1.0 m,谐振腔长为132 mm.同时依据ABCD矩阵理论,当脉冲重复频率为550 kHz时,理论计算得到946 nm谐振腔的稳定性参数的变化规律为

$ \left| {\frac{{{A_{\rm{s}}} + {D_{\rm{s}}}}}{2}} \right| \approx 0.3221{\rm{ }} \to {\rm{ }}0.6574 $ (2)
$ \frac{{{A_{\rm{t}}} + {D_{\rm{t}}}}}{2} \approx 0.2945{\rm{ }} \to {\rm{ }}0.6217 $ (3)

式中s、t分别表示弧矢面光斑和子午面光斑.式(2)、(3)数据表明,在热焦距的整个变化范围内,谐振腔的稳定性参数始终小于1,经过优化设计的谐振腔对热焦距的变化具有热不灵敏性.在最大泵浦电流120 A时,理论模拟的946 nm多模激光束弧矢面光斑尺寸、子午面光斑尺寸随腔长的变化规律如图 4所示.M1镜凹面处、Nd:YAG晶体棒和双45°切割MgO:LiNbO3电光晶体中多模激光束的弧矢面光斑、子午面光斑尺寸分别约为2.4 mm,2.6 mm和2.1 mm;同一位置处,弧矢面光斑尺寸与子午面光斑尺寸彼此之间的差异很小.模拟结果表明,腔型的优化设计将有助于提高激光输出质量,扩大M1镜凹面处的光斑尺寸,降低光斑能量密度,从而有效避免单层MoSe2薄膜的光损伤风险.

图 4 946 nm激光谐振腔内光斑直径沿谐振腔变化的仿真结果 Fig.4 Beam diameters as function of the 946 nm laser cavity length
3 实验结果

实验中,双45°切割MgO:LiNbO3晶体加载的横向半波电压@946 nm为4.2±0.2 kV.采用± (最大峰值-最小峰值)×0.5/平均值的公式计算5 000个脉冲的能量及脉冲宽度的峰峰值不稳定度,采用(单脉冲能量/脉冲宽度)的公式计算脉冲峰值功率[23].而脉冲波形的对称系数则由公式γ=τR/τF计算得到,其中τRτF分别代表脉冲波形的上升沿和下降沿[26].550 Hz脉冲重复频率时,EO主动、MoSe2被动以及EO+MoSe2主被动三种不同调Q模式下946nm激光的脉冲宽度及单脉冲能量随泵浦电流、电压变化规律如图 5(a)所示.在最大有效LD泵浦能量为152 mJ时,三种调Q模式的946nm激光脉冲输出参量如表 1所示,谱线宽度变化如图 5(b)所示,而脉冲波形如图 6(a)(b)(c)所示.

图 5 主动、被动和主被动三种调Q模式运转输出的946 nm脉冲激光特征参量的变化规律 Fig.5 Output performances of 946 nm pulse laser for with actively EO, MoSe2 passively and actively-passively Q-switching operation
表 1 最大泵浦功率条件下主动、被动和主被动三种调Q模式运转输出的946nm脉冲激光特性参量 Tab.1 Laser performances of 946 nm pulse laser for with actively EO, MoSe2 passively and actively-passively Q-switching operation
图 6 主动、被动和主被动三种调Q模式输出的946 nm脉冲激光的脉冲波形和脉冲序列 Fig.6 Single pulse envelopes and pulse train of 946 nm pulse laser for with actively EO, MoSe2 passively and actively-passively Q-switching operation

当单层MoSe2薄膜未转移至M1镜时,由同步脉冲信号发生器向脉冲LD泵浦模块的驱动电源和双45°切割MgO:LiNbO3晶体的高压驱动电源提供双路延时触发信号,808 nm脉冲LD泵浦光的触发能够与双45°切割MgO:LiNbO3晶体加压精确同步,从而实现主动电光调Q 946 nm激光输出.主动电光调Q运转的最大单脉冲达到5.48 mJ、脉冲宽度为20.2 ns,对应峰值功率为271 kW,谱线宽度为0.245 nm,光光转换效率约为3.61%.当单层MoSe2薄膜转移至M1镜且双45°切割MgO:LiNbO3晶体始终处于加压状态(电光开关始终处于打开状态,无触发信号)时,可以实现MoSe2被动调Q激光输出.在最大的有效泵浦功率下,实验获得了重复频率为550 Hz、脉冲宽度约为250 μs的946 nm激光脉冲串.每个脉冲串包含大约35个子脉冲,子脉冲的重复频率、谱线宽度、单脉冲能量、脉冲宽度和峰值功率分别约为152 kHz、0.197 nm、0.106 mJ、51.5 ns和2.06 kW,光光转换效率约为2.44%.当单层MoSe2薄膜转移至M1镜,继续由同步脉冲信号发生器向脉冲LD泵浦模块的驱动电源和双45°切割MgO:LiNbO3晶体的高压驱动电源提供双路延时触发信号,则可以实现主被动双调Q的946 nm脉冲激光输出,最大单脉冲能量3.15 mJ、脉冲宽度9.1 ns,对应峰值功率高达346 kW,谱线宽度为0.173 nm,光光转换效率约为2.07%.

实验结果表明,置入谐振腔内的单层MoSe2薄膜因其价带吸收所引发的腔内损耗会提高谐振腔的激光振荡阈值,远离中心波长的纵模由于获得的增益小于振荡阈值而被抑制,只有靠近中心波长的少数纵模能够获得较大增益而形成激光振荡,故单层MoSe2薄膜作为可饱和吸收体而具有选纵模和滤波的作用.与主动电光调Q和MoSe2被动调Q模式相比,主被动双调Q运转输出的单脉冲能量虽然有所下降,但是脉冲宽度从51.5 ns压缩至9.1 ns,峰值功率从2.06 kW大幅提升至346 kW;谱线宽度从0.245 nm压缩至0.173nm,脉冲波形的对称因子也从0.38提高到了0.87.同时纵模数的减小能够减小模式竞争,从而进一步提高了激光输出的稳定性,而脉冲宽度和单脉冲能量的峰-峰值不稳定度则均出现了小幅下降.三种调Q模式下获得的脉冲序列如图 6(d)(e)(f)所示.

此外,在最大的有效LD泵浦能量为152 mJ时,实验采用光束质量分析仪分别对EO主动、MoSe2被动和主被动三种调Q运转输出的946nm激光束进行了光束质量分析,测试数据如表 2所示.图 7(a)(b)(c)分别为三种调Q模式的近场光束3D和2D光斑能量密度分布测试图.显然,单层MoSe2可饱和吸收体的使用有助于提高946 nm激光光束质量,从EO主动调Q到MoSe2被动调Q再到主被动双调Q模式,M2因子、远场发散角θ和光束直径d均呈现减小趋势即可以得到佐证.

表 2 主动、被动和主被动三种调Q模式运转输出的946 nm脉冲激光的光束质量参数 Tab.2 Beam quality parameters of 946 nm pulse laser for with actively EO, MoSe2passively and actively-passively Q-switching operation
图 7 主动、被动和主被动三种调Q模式运转输出的946 nm脉冲激光近场3D和2D光斑能量密度分布 Fig.7 3D and 2D beam energy density distributions of 946 nm pulse laser for with actively EO, MoSe2 passively and actively-passively Q-switching operation
4 结论

实验研究了一种基于双45°角切割MgO:LiNbO3电光晶体和单层MoSe2薄膜可饱和吸收体的主被动双调Q 946 nm全固态脉冲激光器.通过结构优化设计,采用脉冲LD侧面泵浦长尺寸Nd:YAG晶体棒的谐振腔具有良好的热不灵敏特性.在脉冲重复频率550 Hz时,实现了最大单脉冲能量3.15 mJ、脉冲宽度9.1 ns、峰值功率高达346 kW的946 nm脉冲激光的稳定输出.脉冲宽度及能量的峰峰值不稳定度分别为±2.87%和±3.42%,脉冲波形对称性因子达到0.87,光束质量因子为Mx2=3.851,My2=3.870.实验结果表明,采用电光调制结合MoSe2薄膜被动调制的主被动双调Q运转模式是一种能够有效压缩激光脉冲宽度和谱线宽度,提高峰值功率、脉冲波形对称性以及光束质量的重要途径.

参考文献
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